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- SOI（硅技术）_百度百科
SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思，原理就是在Silicon（硅）晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。 优点是可以较易提升时脉，并减少电流漏电成为省电的IC。 原本应通过交换器的电子，有些会钻入硅中造成浪费。
- 什么是SOI衬底？ - 知乎
有哪些优点？ 应用在哪些领域？ 如何制造？ 什么是SOI衬底？ SOI是 Silicon-On-Insulator 的缩写。 直译为在绝缘层上的硅。 实际的结构是，硅片上有一层超薄的绝缘层，如 SiO2。 在绝缘层上又有一层薄薄的硅层，这种结构将有源硅层与衬底的硅层分开。
- 一文介绍SOI晶圆的结构、分类、优势和下游应用
SOI（Silicon-On-Insulator）是一种半导体制造技术，其中硅晶圆的一部分被绝缘层（通常是二氧化硅）隔离开来，这样可以有效地减少寄生电容和漏电流，提升器件性能。
- SOI - 维基百科，自由的百科全书
SOI 全名為 Silicon On Insulator，是指 矽 電晶體 結構在 絕緣體 之上的意思，原理就是在矽電晶體之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生 電容 比原來的少上一倍。
- 终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了 - 腾讯云
1、绝缘体上硅（SOI） 传统MOS结构和SOI MOS结构的主要区别在于：SOI器件具有掩埋氧化层，其将基体与衬底隔离。 如图7所示，SOI晶体管是一个平面结构。 SOI MOS的制造工艺与起始硅晶片之外的体MOS（传统MOS）工艺相似。 SOI晶片有三层：1
- 单晶硅片——绝缘片 (SOI) - 北京国瑞升
绝缘片 (SOI) 为了提高集成电路的集成度和速度,降低功耗必须缩小器件的尺寸。 但当器件的尺寸缩小到亚微米范围以内时,常规的结构就不适应了,从而导致SOI ( Silicon On Insulator或Semi- conductor On Insulator)结构的发展,也就是把器件制作在绝缘衬底上生长的硅单晶层上。
- 制造SOI晶圆的三种主要技术 - SiBranch
SOI（Silicon-on-Insulator）： 即绝缘体上硅，在绝缘衬底上异质外延硅获得的外延材料，衬底绝缘制作的电路采用介质隔离，因而具有寄生电容小、短沟道效应小、继承密度高、速度快、抗辐射能力强等优点。
- 【半导体先进工艺制程技术系列】SOI技术（中）_全耗尽soi晶体管-CSDN博客
半导体先进工艺制程技术系列之SOI技术部分内容。 包括SOI技术简介、SIMOX技术、BESOI技术、Smart-Cut技术、PD-SOI技术、翘曲效应、寄生双极晶体管效应、自加热效应、体接触、FD-SOI工艺流程。
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