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- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
3 1 SiC 半导体材料的基本性质 3 1 1 SiC 的晶体结构 SiC 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的7倍；其次是电磁干扰； SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，电路回路寄生参数已经大到无法忽略，需要额外注意EMI问题。
- 新手必看：SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么？该如何查询期刊在哪个分区？ - 知乎
新手必看：SCI、JCR分区、中科院SCI分区全解析 对于科研新手来说，刚踏入学术领域，常常会听到SCI、JCR分区、中科院SCI分区这些概念，它们看起来有些复杂，让人摸不着头脑。别担心，我来给大家详细讲讲这些都是什么，以及怎么查询期刊在哪个分区。 一、SCI是什么？ （一）定义和历史 SCI是
- 碳化硅SiC器件目前主要有哪些品牌在做？ - 知乎
SiC晶圆产能：本土加速 根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，2022年国外有30个碳化硅相关项目扩产或投产，总投资金额超过800亿人民币，新增衬底产能超过250万片。 2023年以来，海外大厂持续加大与上下游合作伙伴在衬底材料、外延片、器件供应等方面的
- 为什么要用4H-SiC？ - 知乎
SiC有大约250种晶体类型，而常见的有3C、4H、6H。 但发现大家最关注的是4H-SiC，关于它们之间的电学性质有什么差异（尤其在电阻率方面）？
- 为什么不用sic做igbt? - 知乎
SiC是一种宽禁带半导体材料，可以做到很高的耐压下芯片还很薄，而现在SiC的Mosfet可以做到6500V耐压，已经能覆盖现在的IGBT耐压水平了，且Mosfet的 芯片结构 比IGBT简单，所以 目前没有必要 用SiC来做IGBT 浪费成本。
- SiC衬底的分类及应用有哪些？ - 知乎
SiC衬底主要分为两种晶体结构：4H-SiC和6H-SiC，个字应用场景不一样。 4H-SiC衬底以其高度对称的晶体结构和较低的缺陷密度而受到青睐，这使得它成为制造高功率、高温和高频电子设备的理想选择。
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